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[반도체 및 박막] Ti-Al 반사막을 이용한 405 ㎚ LED의 광추출 효율 향상
- 초 록
- GaN-based light-emitting diodes (LEDs) of a 405 ㎚ wavelength have been fabricated on a sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In order to reflect the photons, which are generated in the InGaN active region and emitted to t Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 사파이어 기판 위에 405 ㎚의 파장을 갖는 GaN light-emitting diode (LED)를 제작하였다. LED의 InGaN 활성층에서 생성되어 칩의 후면으로 향하는 광자를 전면으로 반사시키기 위하여. 사파이어 가판 후면에 반
- 저 자
- 김창연(C. Y. Kim), 권새롬(S. R. Kwon), 이두형(D. H. Lee), 노승정(S. J. N
- 목 차
- Ⅰ. 서론 Ⅱ. 실험 Ⅲ. 결과 및 논의 Ⅳ. 결론 감사의 글 참고문헌
- 페이지수
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